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INTERFACE · THE NEW FRONTIER

不止于粘接,更是为摩尔定律筑基

极微尺度下,为先进制程异构封装重塑算力的物理边界

半导体键合先进封装

从晶圆3nm前道到CoWoS先进封装芯片热应力与工艺缺陷问题白皮书

半导体制程用胶选型核心: 3 nm GAAFET 节点 + 500 °C 极端制程 + CoWoS 2.5D 异构集成是先进封装三大门槛。峻茂特种封装填充与热界面材料,解决 TSV 蚀刻应力与千瓦级芯片散热难题。本文解析从晶圆前道到 CoWoS 后道的全链路粘接方案。

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晶圆Fab半导体封测

从芯片封装看导电银胶的选择:高粘接力、低电阻与高导热的技术要求

导电银胶选型核心: 体积电阻率 2×10⁻⁵ Ω·cm + 导热 5-60 W/m·K (烧结银 260 W/m·K) + 剪切 16 MPa 是 Die Attach 三大门槛。峻茂加温固化银胶与纳米烧结银,解决引线键合打线与银迁移难题。本文解析体积电阻率、导热、粘接与离子杂质四参数。

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半导体封装胶碳化硅半导体

半导体芯片封装胶水怎么选?从 Die Attach 到倒装芯片 (Flip-Chip) 用胶白皮书

半导体封装胶选型核心: BLT <25 μm 胶层 + 固化收缩 <0.06% + 4-60 W/m·K 导热是 Die Attach/Flip-Chip 三大门槛。峻茂高 Tg 环氧与低应力 Underfill,解决金线偏移与微隙气泡难题。本文解析管芯粘接到倒装芯片的毛细流体力学。

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SMT回流焊耐温石英玻璃封装

耐高温胶水怎么选?300 °C-1000 °C 传感器与陶瓷玻璃用胶选型白皮书

极端高温胶选型核心: 400-1000 °C 持续服役 + 20 GΩ 高阻态绝缘 + 3 次回流焊不开裂是陶瓷/石英三大门槛。峻茂特种相变重构耐高温胶,解决 400 °C 72 小时碳化与导电网络失效难题。本文解析高温老化后剪切强度零衰减机制。

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光电共封装SiC功率器件封装

耐高温导电胶有哪些?300 °C-1000 °C SiC 芯片与航空传感器用胶白皮书

耐高温导电胶选型核心: 300 °C 长期导电 + Tg 195 °C + CTE 28 ppm/°C 是 SiC 功率器件三大门槛。峻茂芯片级导电胶与 500-1000 °C 特种导电胶,解决高温碳化脱层与电阻飙升难题。本文解析电子逾渗网络与超高 Tg 结构锁定。

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高模量导热胶导热胶CTE热膨胀系数

耐高温导热胶怎么选?20 W-60 W 高导热胶与 IGBT 功率模块用胶选择指南

耐高温导热胶选型核心: 2.5-60 W/m·K 导热 + 300-400 °C 耐温 + 离子含量 <10 ppm 是 IGBT/激光器三大门槛。峻茂潜伏性固化单组份导热胶,解决热力学失配与 TIM 泵出效应难题。本文解析热阻、流变学与离子迁徙的底层逻辑。

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电镀掩膜胶局部电镀遮蔽

半导体湿法刻蚀与电镀掩膜胶怎么选?TSV 晶圆 与微波通讯防渗漏用胶白皮书

湿法掩膜胶选型核心: 抗 30 天强极性溶剂溶胀 + 防 HF/高浓硫酸渗透 + 100% 无残胶剥离是 TSV/电镀三大门槛。峻茂 UV 临时可剥掩膜胶通过高交联密度,解决槽液毒化与刻蚀侧漏难题。本文解析高附着力与高内聚力的流变学设计。

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军用微波器件耐高温环氧胶

耐 300 °C 高温环氧树脂胶有哪些?精密传感器与工业级耐热用胶白皮书

耐高温环氧胶选型核心: 300 °C 长期耐温 + 7.5 ppm/°C 极低 CTE + 280 °C 峰值 Tg 是精密传感器三大门槛。峻茂单/双组份改性环氧通过阶梯式中温固化,解决异种材质 CTE 失配剥离难题。本文解析 Tg 提升与 CTE 控制的热化学机理。

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长期耐高温灌封胶电机耐高温灌封胶

耐高温灌封胶怎么选?400 °C-600 °C 高温传感器仪器用胶白皮书

耐高温灌封胶选型核心: 耐 400 °C 长期服役 + 300 °C 体积电阻 1.3×10¹⁰ Ω + 2.3 W/m·K 导热是极端传感器三大门槛。峻茂单组份相变重构灌封胶,解决 350 °C 碳化短路与体积坍塌难题。本文解析热激发演化机制与沸水级极限密封。

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PVD镀膜工艺问题CVD沉积缺陷

PVD/CVD 镀膜工艺问题分析:半导体晶圆与光学玻璃耐高温用胶选型白皮书

PVD/CVD 用胶选型核心: 耐 300-400 °C 热冲击 + 465 °C 热失重阈值 + 零真空排气是晶圆/光学镀膜三大门槛。峻茂耐高温粘接胶与 UV 可剥掩膜胶,解决靶材中毒与残胶污染真空腔难题。本文解析无残胶局部遮蔽与耐高温粘接技术。

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Underfill底部填充胶先进封装

底部填充胶 (Underfill) 怎么选?AI 算力芯片与 CoWoS 先进封装导热用胶白皮书

底部填充胶 (Underfill) 选型核心: 37 W/m·K 导热系数 + 13 ppm/°C CTE + Tg >150 °C 是 AI 芯片 CoWoS/HBM3E 封装可靠性的三大门槛。峻茂通过超低 CTE 与极限导热突破,解决大尺寸芯粒热机械应力与散热互连难题。本文解析应力再分布与主动热传导的工程化落地。

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耐老化环氧树脂胶耐高低温胶

电子与芯片环氧树脂胶耐老化可靠性深度解析及测试模型指南

耐老化环氧胶选型核心: 双 85 (85 °C/85%RH) 测试 + CTE 13-23 ppm/°C + 195 °C 1500 小时长期耐温是可靠性三大门槛。峻茂耐高低温/高温/超高温胶,解决水汽侵入与热氧降解难题。本文解析 Arrhenius 与 Hallberg-Peck 寿命预测模型。

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关于技术洞察

技术洞察(Tech Insights)是峻茂新材料(SCITEO)的半导体封装与先进材料应用工程专栏。以 GJB 150A、JEDEC JESD22-A101、AEC-Q100 可靠性标准体系为验证基线,依托第一方工程测试数据矩阵,系统解析耐高低温胶、高导热胶、导电胶、耐老化胶与半导体封装材料的失效物理(PoF)、选型逻辑与工艺窗口落地,覆盖算力芯片、功率半导体、传感器与军工器件等高阶制造应用场景。