PROCESS // END-TO-END PACKAGING
半导体封装
贯穿半导体前中后道全制程，无惧极细间距互连挑战。靶向化解热失配引发的界面应力集中，攻克电学与热力学的导电、高导热瓶颈。
ALIGN
λ 13.5 nm
NA 0.55
OVERLAY
构建异质集成可靠键合
半导体与高阶制造先进封装材料
微观界面尺度谱 · METROLOGY
⇄DRAG TO SCAN
[ 10-10m → 10-3m ]
0.05 nmBOHR RADIUS
0.1 nmATOM
0.54 nmSI LATTICE
1 nmMOLECULAR
10 nmINTERFACE
30 nmCMP SLURRY
100 nmW2W ALIGN
450 nmHYBRID BOND
1 μmHYBRID PITCH
3 μmUNDERFILL
5 μmTSV
20 μmMICROBUMP
40 μmBONDLINE
100 μmSOLDER BUMP
775 μmHBM STACK
26 mmRETICLE
300 mmWAFER
RELIABILITY PHYSICS
All Solutions为关键系统建立物理确定性
RELIABILITY // AEC-Q100
车规级电子
定制通过极端严苛的冷热冲击与双85长周期老化测试。为功率模组、第三代半导体及智驾算力芯片模组提供磐石般的物理级底层保障。
THERMAL TOLERANCE // -255°C TO 1000°C
高低温组件
彻底打破常规高分子材料耐温极限，无惧深冷与极热震荡挑战。极端工况下高分子链依然强健键合，从根本上拒绝材料碳化、脆断与剥离。
MATERIAL PROPERTIES // LOW-CTE
超精密制造
专为高端光学、军工航天组件及微型传感器量身调配。全面实现低CTE、低收缩、低挥发三低特性，完美契合微米级高精密流体涂覆。
CORE PLATFORMS
Full Matrix耐高低温胶
Modulus Integrity
专为军工传感与高功率热密度组件靶向研制。依托多维流变学精调，实现极端环境下的底层模量支撑。
Void Content Limit< 0.05%
TC1000
高导热胶
Spectral Transfer
聚焦全频谱微电子导热应用，攻克常规材料的界面粘接壁垒，在极限热循环下确保持久的高强度键合。
Thermal Conductivity3.0–60 W/m·K
THS1000h
导电胶系列
Cohesive Strength
采用高纯度纳米银粉复合的微观架构。实现超低体积电阻与高Tg特性，完美契合超细间距印刷与点胶。
Volume Resistivity< 1×10⁻⁵ Ω·cm
HTSL1000h
TRUST ANCHORS多领域权威背书
战略客户与行业背书
- ERICSSON中国//毫米波射频
- 长江存储//晶圆级互连
- ST MICRO//车规级封装
- 台积电中国//先进级封装
- 中国振华//军标级填充
- ABB中国//工业机器人
- 中电科//射频微系统
- GARRETT中国//车规级热控
界面工程洞察
峻茂研发团队基于失效物理与第一性原理，剖析先进材料选型的因果律。
耐高低温胶和单独的耐低温胶、耐高温胶，在选型上怎么分工？
三者的差别不在配方名，而在温度谱线的形态。只跑低温端、最高只到 100 °C 出头的工况，交给耐低温胶，它可以把全部设计余量压在链段自由度和断裂韧性上，不必为高温交联网络留键能冗余；只跑 150 °C 以上、极少经历深冷的工况，交给耐高温胶，重点放在氧化稳定性、高温模量与出气控制。宽温域胶要处理的是同一层界面两端对拉：低温端要求模量平缓、韧性充足，高温端要求交联网络刚性与收缩受控，两套取向相反，只能在中段找共同可行域。所以如果一个器件的服役谱线两端都逼近材料边界，就该按耐高低温胶评审；如果一端形同虚设，用窄温域产品反而更容易把指标做透。
HBM4 堆叠、CoWoS 大尺寸封装和玻璃基板，给封装胶出了哪些新题？
这三类架构正在同一时间窗口里收紧三条约束。HBM4 把接口拓宽到 2048-bit, Base Die 换成 4 nm 逻辑工艺，量产件速率已从 JEDEC 基线的 8 Gbps 推到 11.7 Gbps，单堆叠带宽站上 3.3 TB/s 量级；堆叠体内逾 2 万根硅通孔与 1.6 万颗底部微凸点，让存储器与逻辑芯粒的热机械耦合比以往更紧，底填层要在更薄的间隙里同时兼顾低 CTE 和低模量阻尼。CoWoS 类封装的面积还在成倍放大，翘曲从次要问题升为一阶约束，底填与固晶层要在大面积上同时压住空洞率和残余应力。玻璃芯基板把界面化学整个换了一遍：玻璃表面平滑、与金属层结合力弱，玻璃通孔在亚 10 μm 孔径下的金属化与大面积面板的纳米级平整度都还在攻关，材料必须在界面偶联、低收缩与低释气之间取平衡。
封装胶双85 测试过不了，最该先查哪几个参数？
先分线，再查参数。双85 的失效是三条线并行：界面水解剥离、吸湿增塑把 Tg 拉下来、可迁移离子在偏压下做电化学迁移。拆件后若分层沿界面推进，优先复核吸水率、固化收缩率与硅烷偶联界面；若漏电流和表面绝缘电阻(SIR)先劣化，转查 Cl⁻、K⁺ 等可迁移离子含量与体积电阻率保持；若过回流焊就发生爆米花开裂，先看吸水饱和后的湿态 Tg（DMA 测定）是不是被拉到了制程温度以下。三条线对应完全不同的配方改法，顺序搞反会白做一轮验证。