半导体封装
贯穿半导体前中后道全制程,无惧极细间距互连挑战。完美化解热失配引发的界面应力集中,攻克电学与热力学的导电、高导热瓶颈。
贯穿半导体前中后道全制程,无惧极细间距互连挑战。完美化解热失配引发的界面应力集中,攻克电学与热力学的导电、高导热瓶颈。
满签通过极端严苛的冷热冲击与双85长周期老化测试。为功率模组、第三代功率半导体及智驾算力芯片提供磐石般的物理级底层保障。
彻底打破常规高分子材料耐温极限,无惧深冷与极热震荡挑战。极端工况下高分子链依然强健键合,从根本上拒绝材料碳化、脆断与剥离。
专为高端光学、军工航天组件及微型传感器量身调配。全面实现低CTE、低收缩、低挥发三低特性,完美契合微米级高精密流体涂覆。
高纯度纳米/微米银粉复合。实现超低体积电阻率与极佳的点胶流变性,适应超细间距印刷与高精密涂覆。
全频谱微电子导热应用,攻克常规导热材料的界面粘接壁垒,在极限热循环下确保持久的超高强度物理键合。
专为军工传感器与高功率激光组件研制。通过多维粘度与触变指数精调,实现极端环境下的高模量支撑。
汇集峻茂团队研发工艺与应用工程技术问答,助力先进制程的材料选型。
空洞成因复杂,主要有三点:一是基板预热温度不够,导致胶体毛细流动性变差产生包气;二是打胶路径不合理,导致胶水多向汇流时封死了排气口;三是基板上的助焊剂残留未清洗干净,导致胶水局部不润湿。通常需要 PE 配合调整点胶 L 型或 U 型路径,并选用高润湿性的高阶底填材料。
许多耐高温胶标称耐 300 °C,但其在 400 °C 的真空或等离子环境下,高分子碳链会迅速断裂,产生大量挥发性有机物(VOCs)。这些物质冷凝后会严重污染测试探针和无尘室设备(即 Outgassing 异常)。必须使用分子结构经过特殊改性的晶圆级特种耐高温胶(如峻茂 400-500 °C 系列)才能扛住这种破坏。
极大概率是遇到了 TIM的 Pump-out(泵出效应)。芯片在满载和待机之间切换时,会产生热胀冷缩的“呼吸作用”。如果导热胶的聚合物基体与导热粉体结合力差,经过成千上万次挤压,胶体会被“泵”出芯片表面,导致原本紧密贴合的界面出现肉眼看不见的空气层,热阻瞬间爆表。